GaAs霍尔开关集成电路的研制

摘要：

成功地设计并制造出 GaAs MESFET霍尔开关集成电路.该电路采用了方形霍尔元件,绝对 灵敏度为 704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于 SCFL 的 D触发器.结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求.实验结果还表明,霍尔元件 和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路.

关键词：霍尔效应、磁传感器、开关、GaAs、集成电路

所属期刊栏目：9

分类号：TN382(半导体技术)

资助基金：上海市汽车工业科技发展基金218701

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：43-46