PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型

摘要：

研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向 特性起主要作用 ,当反向偏压大于 0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用.

关键词：GaInAsSb、红外探测器、PSPICE

所属期刊栏目：9

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60176011

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：34-38