磁控溅射法制备WO3薄膜及其非线性电学性质

摘要：

利用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备了 WO3薄膜,测量了薄膜的伏安特性和显微 结构.实验表明实验制备了颗粒小于 100nm的 WO3多晶膜,薄膜具有良好的非线性电学行为,其 非线性系数在 0.1 ～ 1mA的范围内可达到 10以上.简略讨论了 WO3薄膜的非线性电输运机理.

关键词：三氧化钨、薄膜、非线性电阻特性

所属期刊栏目：9

分类号：TN304;TN305.92(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-33