新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

摘要：

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.

关键词：量子点、MOCVD、共振隧穿、InGaN/GaN

所属期刊栏目：9

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60086001,69906002;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16