一种超薄硅薄膜的制作方法

摘要：

超薄、平整的硅应变薄膜对于制作低量程的电容式压力传感器是非常重要的.提出一种简单的超薄薄膜制作方法,利用浓硼扩散、KOH自停止腐蚀和LPCVD等关键技术,得到了厚度4μm左右的平整的Si(P++)/Si3N4复合薄膜.由于内应力引起的挠度在几百纳米数量级,为制作压力传感器奠定了有用的工艺基础.

关键词：硅薄膜、内应力、形变、电容式微差压传感器

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：上海市科技发展基金;王宽诚教育基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：388-390