高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性

摘要：

在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性.分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值.理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑.

关键词：碳化硅、肖特基势垒二极管、高温

所属期刊栏目：8

分类号：TN303;TM311+.7(半导体技术)

资助基金：国家部级科研项目00J.8.2.1D20130

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：383-387