射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

摘要：

对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.

关键词：GaN、分子束外延、原子力显微镜、光辅助湿法刻蚀、极性

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.054;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683-06

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：361-364