Opto-electronic properties of ZnSSe films for liquid crystal light valve

摘要：

用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.

关键词：分子束外延、ZnSSe薄膜、光电特性、液晶光阀

所属期刊栏目：8

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：National Science Council of PRC59910161981;RGC grant from the Hong Kong GovernmentNSFC/HKUST35

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：335-340