制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料

摘要：

采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.

关键词：AlN薄膜、键合、SOI、离子束增强沉积

所属期刊栏目：8

分类号：TN305;TN304.9(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000365;国家自然科学基金69976034,90101012

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：331-334