SOI器件中浮体效应的研究进展

摘要：

SOI(Silicon On Insulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能.本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构.

关键词：浮体效应、翘曲效应、寄生双极晶体管效应、SOI器件

所属期刊栏目：8

分类号：TN305.3;TN325+.2(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：297-302