10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.018
类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制
采用真空磁过滤弧沉积(FAD)的方法制备的类金刚石(DLC)薄膜具有良好的场发射性能.通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能.测试表明,DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能,阈值电场达到了2.1V/μm,当场强为14.3V/μm时,电流密度达到了1.23mA/cm2.利用图形化的DLC薄膜作为阴极,设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器(FED)样管.
类金刚石薄膜、图形化、场发射显示器
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TN304.1+8(半导体技术)
国家自然科学基金59972039;国家重点基础研究发展计划973计划G2000067207-2
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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