不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构

摘要：

将氮和氧离子在不同能量下依次注入于硅片,并经1200oC,2h高温退火后,形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构.对该样品做俄歇电子能谱(AES)、剖面透射电镜(XTEM)、二次离子质谱(SIMS)和击穿场强等测试,表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si2O夹心埋层的SOI结构.其击穿场强最大为5×106V/cm,与普通剂量SIMOX的相当.测试还发现氮在界面处有明显的富集效应,而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的.

关键词：SOI、离子注入

所属期刊栏目：8

分类号：TN305.3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59925205

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：228-232