Si/SiGe异质结双极晶体管的研制

摘要：

通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔层和新颖的Ge分布曲线,有效地削弱了基区杂质外扩散、基区复合和异质结势垒效应的不利影响.开发了兼容于硅工艺的锗硅HBT工艺,并据此试制出了Si/SiGeHBT,测量结果表明,器件的直流和交流特性均较好,电流放大系数为50,截止频率fT为5.1GHz.

关键词：锗硅材料、分子束外延、异质结双极晶体管、优化设计

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.054;TN325+.3(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金99Js09 5.1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：123-127