生长温度对ZnO薄膜结构的影响

摘要：

在不同温度下,利用射频等离子体增强型MOCVD系统,在蓝宝石C面上生长出了C轴单一取向的ZnO薄膜,并通过XRD、SEM手段对生长温度与样品的生长速度、表面结构和氧锌原子化学计量比的关系作了较为详细的研究,优化了薄膜的温度生长参数.当生长温度为520oC时,ZnO薄膜的生长速度最大且表面粗糙度较低.当温度为550oC时,可生长出O:Zn为49.99:50:01的近本征ZnO薄膜.

关键词：XRD、SEM、化学计量比、ZnO

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.055;TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69896260,59910161983,69777005;吉林省科研项目19990518-1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：115-118