Ge-SiO2薄膜的结构及其发光特性的研究

摘要：

采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.为探讨其发光机制,对薄膜的结构进行了表征.XRD、XPS、FTIR谱分析说明样品的发光特性与其结构相对应,394nmPL由GeO缺陷引起,580nmPL与Ge纳米晶粒和基质SiO2界面处的发光中心相联系.

关键词：Ge-SiO2薄膜、磁控溅射、光致发光

所属期刊栏目：8

分类号：TN305.92(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876043;中国科学院重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：103-107