垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

摘要：

在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术.讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题.通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶.

关键词：垂直梯度凝固(VGF)、半绝缘GaAs单晶、晶体生长

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：73-76