十二位SOI/CMOS数模转换器的研制

摘要：

介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.

关键词：数模转换器、SOI/CMOS、高速度、模拟开关

所属期刊栏目：8

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000365;上海市科学发展基金99JC14012

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52