高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

摘要：

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能.在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps.对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论.

关键词：光电探测器、分子束外延、In0.53Ga0.47As

所属期刊栏目：8

分类号：TN304.2+6;TN312+.4(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48