GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

摘要：

对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究.结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响.通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3.

关键词：GaN、MOCVD、横向过生长、外延

所属期刊栏目：8

分类号：O484.5(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：27-30