SiC埋层的制备与性质研究

摘要：

在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60min退火形成β-SiC埋层.通过X射线光电子能谱(XPS),俄歇电子能谱(AES)及付立叶变换红外吸收光谱(FTIR),对所形成的碳化硅埋层进行了测试与分析.结果表明在此条件下,在Si中可以形成一定的SiC埋层,并且C+离子注入硅衬底可以形成β-SiC和α-SiC.SiC埋层主要由非立方相的α-SiC和立方相的β-SiC所构成.

关键词：SiC、离子束合成、能量损失谱

所属期刊栏目：8

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：辽宁省科技厅资助项目972094;国家自然科学基金69876013

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5-7