一种提高硅集成电感Q值的方法

摘要：

设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗.实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感Q值提高40%.

关键词：集成电感、Q值、涡流

所属期刊栏目：8

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4