低剂量 SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究

摘要：

用 Secco法、 Cu-plating法分别表征了低剂量 SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度 . 结果显示 , 低剂量 SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低 , 但埋层质量稍差 . 通过注入工艺和退火过 程的进一步优化 , 低剂量 SIMOX将是一种有前途的 SOI材料制备工艺 .

关键词：SOI、SIMOX、Secco、Cu-plating、线缺陷

所属期刊栏目：7

分类号：O77+9(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金59925205

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：431-433