以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件

摘要：

使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930～ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.

关键词：陶瓷厚膜、流延工艺、低压驱动、电致发光

所属期刊栏目：7

分类号：TN104.3(真空电子技术)

资助基金：国家自然科学基金69606004;上海市教委资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：360-364