多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究

摘要：

用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了 SOI材料 , 卢瑟福背散射 /沟道谱 (RBS/C)和扩展电阻 (SPR)的结果表明获得的 SOI材料上层硅具有很好的单晶质量 , 电阻率分布均匀 , 上层硅与氧化硅埋层界面陡直 . 对制备多孔硅的衬底材料也作了研究 , 结果表明 P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能 , 用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅 , 并且 , 在一定浓度的 HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率 , 保证了上层硅厚度的均匀性 .

关键词：绝缘体上的硅、多孔硅、外延

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分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69906005和 9775062;上海市科技发展基金98JC14004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：355-359