低维硫属化物晶体的合成研究进展

摘要：

金属硫属化物是指含有Ⅵ A族 S2－、 Se2－、 Te2－元素的化合物，它们在半导体领域、配位化学、
固体化学及红外探测设备中具有不可替代的重要性。这类化合物主要包括Ⅱ－Ⅵ族和Ⅳ－Ⅵ族化合物半导体以及多元金属硫属化物（尤其是过渡金属硫化物） ,其合成几乎涉及所有的晶体生长
方法，如：薄膜生长法、高温合成方法、电化学方法、溶剂热合成等。本文综述了低维硫属化物几种
合成方法的优缺点及其新进展。

关键词：低维硫属化物、溶剂热、电化学方法、高温合成

所属期刊栏目：7

分类号：TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：211-215