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10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.020

横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理

引用
由于没有合适的衬底材料与之匹配,使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大,从而限制了它的 应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3~ 4个数量级,可生长出高质量的 GaN 材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。

外延、生长机理、GaN

7

TN304.054;TN304.2+3(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

199-204

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

7

2001,7(2)

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