10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.020
横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理
由于没有合适的衬底材料与之匹配,使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大,从而限制了它的
应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3~ 4个数量级,可生长出高质量的 GaN
材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。
外延、生长机理、GaN
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TN304.054;TN304.2+3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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199-204