nc－ Si/a－ SiOx:H复合薄膜的结构及光吸收特性

摘要：

采用 PECVD技术制备的 a－ SiOx:H (0<x< 2) 薄膜 ,经高温退火形成纳米硅晶粒埋入 a－ <P> SiOx:H基质的量子点复合膜（ nc－ Si/a－ SiOx:H）。利用 TEM技术， Raman散射谱和光吸收谱等 ,
较系统地研究了该复合膜的膜结构和光吸收特性。实验结果表明：纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构，
颗粒大小随退火温度升高而增大。复合膜光吸收边随纳米硅颗粒尺寸的减小发生了蓝移，表现出
明显的量子限域效应。

关键词：nc－Si/a－SiOx:H复合膜、PECVD技术、热退火、光吸收

所属期刊栏目：7

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69896260;国家重点实验室基金11E01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：179-182