BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

摘要：

建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模
型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得
出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～
40％。

关键词：BJMOSFET、静态特性、PSPICE、模拟

所属期刊栏目：7

分类号：TN389(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：167-170,182