Si/Si1－ xGex HEMT结构设计的研究

摘要：

从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1－ xGex HEMT结构的设计原理及方法，对
Ismail器件进行了分析和计算，所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符，并利用该设计
理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进，提高了器件 2DEG的 ns。

关键词：Si/Si1－xGexHEMT、半导体异质结、晶格匹配、能带阶跃、结构设计、二维电子气密度

所属期刊栏目：7

分类号：TN302;TN303(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：162-166