研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响

摘要：

讨论了在检测半导体器件和集成电路芯片时,不同研磨倾斜角度对扩展电阻量值的影响。

关键词：扩展电阻技术、倾斜角、扩散、离子注入

所属期刊栏目：7

分类号：TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：98-100