10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.020
TQFP器件的分层开裂和PECVDSiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响
研究了薄型扁平四面封装(TQFP)器件在再流焊工艺中的分层开裂过程和PECVDSiNx薄膜对器件防水性能的影响。实验发现,水汽含量是引起器件分层开裂的主要原因;银浆与塑封料,芯片衬垫与塑封料之间的结合面是TQFP器件的薄弱环节,分层现象是由这些部位产生和扩展的。PECVDSiNx薄膜能有效降低进入TQFP器件中的水汽含量,在一定程度上消除开裂和分层现象,并且薄膜越厚,防水效果越好,消除开裂和分层现象的作用也越明显。
分层、氮化硅薄膜、TQFP器件、防水性能、PECVD
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TN306(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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