等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定

摘要：

通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间tbd的差异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为2000的MOS电容栅氧化硅层中产生的陷阱密度为2.35×1018cm－3，表明充电效应导致损伤的出现。

关键词：等离子体、暴露、陷阱、击穿时间、隧穿电流

所属期刊栏目：7

分类号：TN405.98+2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：59-62