期刊专题

10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.006

掺铅CsI晶体中Pb2+聚集体的发光

引用
退火处理后的CsI:Pb晶体在10~30K温度范围内观察到两类发光:当激发波长为410nm,主要发光带在464nm附近;而当激发波长为360nm或300nm,主发射带为422nm。这两种发光带的相对强度与退火时间的长短密切相关。讨论了CsI:Pb晶体中不同的Pb2+基聚集相的形成机制和发光机理。

掺铅碘化铯晶体、退火、Pb2+聚集体、发光

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O734(晶体物理)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

27-30

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

7

2001,7(1)

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