PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗

摘要：

采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为Pb(Zr0.7Ti0.3)O3(PZT73)和Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT37)的两种陶瓷的内耗Q－1及振动频率的平方f2（正比于材料的剪切模量G）与温度的关系进行了测定。在纯三角相的PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰PM起源于材料的顺电－铁电相变,低温内耗峰P1本质上是一个宽化的Debye峰，可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。对纯四方相的PZT37陶瓷，除了P1和PM峰外，在P1与PM峰之间另有内耗峰P2，这与900畴附近的氧空位团簇的弛豫有关,其特征可用描述强关联系统的关联态模型（Couplingmodel）描述。

关键词：内耗、PZT陶瓷、氧空位、畴壁

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分类号：TN304.9;O469(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863－715－006－0060

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20