AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

摘要：

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.

关键词：AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱、PL强度、激光器

所属期刊栏目：6

分类号：TN365(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：282-284