Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

摘要：

研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2～0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.

关键词：Ge/GaAs、吸收倍增分离、雪崩光电二极管(APD)

所属期刊栏目：6

分类号：TN364+.2(半导体技术)

资助基金：北京市科研项目4992004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：273-275