具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究

摘要：

提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器.通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流.实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即(in2)=2qIcΔf.

关键词：光电晶体管、光探测器、穿通基区、噪声、双极晶体管

所属期刊栏目：6

分类号：TN364(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：270-272