高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响

摘要：

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条.在W0.95-Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构.W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体(85%N2,15%H2)的保护下,分别在250℃,350℃,450℃,600℃温度下各退火0.5h以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右.退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化.这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性.

关键词：WNi/半导体接触、光弹效应、平面型波导器件、热稳定性

所属期刊栏目：6

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目69976003

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：266-269