光导型GaN/Si探测器的研制

摘要：

采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.

关键词：Si基GaN、探测器、响应度

所属期刊栏目：6

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目;中国科学院资助项目69987001;69636010;69806006

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：256-258