ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

摘要：

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.

关键词：ECRPlasmaCVD、人工神经网络、气流配比、折射率、淀积速率

所属期刊栏目：6

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目307-15-308

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：248-251