高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器

摘要：

通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.

关键词：高功率、单量子阱、远结半导体激光器、老化

所属期刊栏目：6

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省科技厅应用基础研究项目19990526-1

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：240-242