用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

摘要：

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.

关键词：量子阱混合、波长蓝移、InGaAs/InGaAsP、光致发光谱

所属期刊栏目：6

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院资助项目;北京市科技新星计划项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：236-239