GaAs多量子阱的光电流谱

摘要：

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

关键词：GaAs量子阱、光电流、电子干涉

所属期刊栏目：6

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69976016;教育部科学技术研究项目Y98G11107

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：228-231