氮化镓基电子与光电子器件

摘要：

GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料.宽禁带Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光/蓝光/绿光光发射二极管走向商业市场,证明InGaAs/GaN/AlGaAs紫罗兰色异质结激光器能够在室温和脉冲或连续波条件下工作,是性能优越的光电器件的理想材料.本文综述了上述研究成果.

关键词：氮化硅、发光管、激光管、场效应管、异质结双极晶体管

所属期刊栏目：6

分类号：TN365(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：218-227