半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

摘要：

在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.

关键词：半绝缘GaAs、低频振荡、噪声

所属期刊栏目：6

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：197-200