深亚微米栅HFET器件工艺研究

摘要：

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm).

关键词：混合曝光、HFET、T型栅

所属期刊栏目：6

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：193-196