WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

摘要：

发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4～5V.

关键词：WN/W、难熔栅、CHFET、HIGFET

所属期刊栏目：6

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国防科技预研基金98J8.4.3

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：190-192