MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

摘要：

研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

关键词：砷化镓、MESFET、旁栅效应、旁栅阈值电压

所属期刊栏目：6

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目69676003

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：186-189