GaAs的ICP选择刻蚀研究

摘要：

选择刻蚀在GaAs工艺中是非常重要的一步.由于湿法腐蚀存在钻蚀和选择性差,且精度难以控制,因此有必要进行干法刻蚀的研究.虽然采用反应离子刻蚀(RIE)、磁增强反应离子刻蚀(MERIE)可以进行选择刻蚀,但是这两种方法在挖槽时会对器件造成较大损伤,影响器件性能.感应耦合等离子刻蚀(ICP)是一种低损伤、高刻蚀速率高选择比的刻蚀方法,在GaAs器件的制造中有突出的优点.本工作进行了GaAs/AlGaAs的选择刻蚀研究,GaAs/AlGaAs的选择比达到840:1,取得较理想的刻蚀结果.

关键词：GaAs/AlGaAs、ICP、选择刻蚀

所属期刊栏目：6

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：174-177