SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

摘要：

深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.

关键词：AlGaAs/InGaAs/GaAs、pHEMT、SiNx钝化

所属期刊栏目：6

分类号：TN325+.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：165-169